Begriffserklärungen
Alternative Substrate
Metall (Aluminium/Kupfer) bzw. Siliziumnitrid (SI3N4) mit sehr guten Wärmeleiteigenschaften und sehr geringem Wärmeübergangswiderstand. AB Mikroelektronik Patent ALUPLASD RTM, ANOTHERM PLUS RTM.
AOI
Automatische Optische Inspektion.
BGA
Ball-Grid-Array, spezielle SMD-Lötanschlussform bei der sich die elektrischen halbkugelförmigen Anschlüsse auf der Unterseite des Gehäuse befinden.
Bonden
Anbringen von Drahtverbindungen zwischen ungehäusten Halbleitern und dem Substrat.
Bumps / bumpen
Die Anschlussflächen (Pads) eines ungehäusten Halbleiters werden mit kleinen `Halb-Kügelchen´ aus Lot oder Gold versehen. Diesen Prozess nennt man `bumpen´, die erzeugten `Halb-Kügelchen´ nennt man`Bumps´.
DCB
Direct Copper Bonding – Keramiksubstrat mit Kupferleiterbahnen.
Die / dice
Ungehäuster Halbleiter.
EDX
Energiedispersive Röntgenspektroskopie. Verfahren zur Elementanalyse basierend auf der Detektion charakteristischer Röntgenstrahlen.
Flip-Chip
Ungehäuster Halbleiter welcher zur `Face-down´-Montage mit Bumps zur Kontaktierung versehen ist.
Glob-Top
Abdeckung von ungehäusten Halbleitern.
IMS
Insulated Metal Substrate, auch Metallkern-Leiterplatte genannt, auf Metallträger (Aluminium bzw. Kupfer) auflaminierte Leiterplatte.
Lead-Frame
Baugruppenanschlusskontakt.
MID
Molded Interconnect Device. Dreidimensionaler Schaltungsträger aus Kunststoffbasis mit aufgedampften Leiterbahnen.
REM
Rasterelektronenmikroskop.
SMD / SMT
Surface Mounted Device / Surface Mounted Technology. Oberflächenmontierbare Bauteile bzw. Technologie.
THT
Through Hole Technology. Durchstecktechnologie -> bedrahtete Bauelemente.
Transfermolden
Umhüllung von elektronischen Bauteilen oder Baugruppen mit duroplastischem Werkstoff.
